三星 企业级 SV843 960G SATA3 2.5苹果笔记本台式机 固态硬盘1TB

三星SV843系列960G固态硬盘,绿色数据 服务器 IDC机房 解决方案.SV843是全世界首款量产的3D V-NAND闪存，与平面NAND闪存相比使用更持久和更多的容量以及更低的功耗，对于驱动来说拥有极低的延迟以及负荷。针对数据应用，该产品拥有高擦写次数,高达3.6倍的每天全容量写入。

具体型号: MZ7WD960HMHP-00003 SV843(标签未标注SV843系列型号,可根据具体型号针对PDF文件判断无误).

容量:960G (系统实际识别到容量为894.25GB,是因为WINDOWS算法不同的原因,并不是容量不符,敬请注意哦)

性能:ATTO DISK BENCHMARK软件测试读非常高549M/秒,写非常高468M/秒.

接口:SATA3.0 6Gb/秒,向下兼容SATA2.0,1.0接口(但性能会受限).  查资料据说闪存是很不错代24层 40nm  3D V-NAND  。 容量960G 含18个钽电容做掉电保护。

  40nm  3D V-NAND  介绍：http://picimg.lshou.com/pic/news.mydrivers.com/1/396/396645.htm     http://picimg.lshou.com/pic/www.icpcw.com/Parts/Peripheral/dnwspc/3246/324691_all.htm
代表作: 840pro  850pro http://picimg.lshou.com/pic/bbs.pceva.com.cn/thread-97880-1-1.html

http://picimg.lshou.com/pic/bbs.kafan.cn/thread-1767979-1-1.html  不买 了解一下也不错哦亲

三星 SV843 和 SM843T 的区别

SV843是850 Pro的数据版，颗粒是40nm 3D V-NAND；SM843T是840 Pro的数据版，颗粒是21nm MLC。sm843t支持5年每天1.8次4K全盘写入，11次64K全盘写入（28% OP空间），sv843则翻倍。

 三星 SV843 产品介绍   http://picimg.lshou.com/pic/www.dostor.com/article/2014-07-01/315101.shtml

芯片信息：
主控：S4LN021X01-8030   
闪存:K9PKGY8S7M-CCKO          
缓存：K4P8G304EQ-FGC2            1GB 缓存
钽电容： C4O                        

保修 ： 3年  坏了直接换 （这样的质量应该8年都没有问题吧）

实物上图,实物测试截图.

DRAM（动态随机存取存储器）

三星一直是无可争议的，长期的走在前沿在DRAM领域，并产生了非常先进非常新的DRAM解决方案，包括组件和模块用于PC，服务器和移动应用。(咨询特价)年9月，三星开始生产基于20纳米级工艺技术优秀在行业内的DDR3器件。先进的DRAM技术的先驱，三星提供的DDR3解决方案具有非常高的性能和非常高的密度和非常低的功耗。三星继续提供提供非常大的价值给客户在世界各地的“绿色DDR3的产品，贡献'绿化'全球。 保持与移动部门的影响力越来越大的步伐，三星提供了非常新的移动存储解决方案和LPDDR2 LPDDR3带来非常高的性能水片以先进的移动设备。同时消耗显著低功耗，该器件可提供显着的性能提升到智能，桌上电脑和消费电子设备。 

三星一直是NAND闪存解决方案的走在前沿制造商，并已确立了其NAND闪存解决方案的关键组成部分的移动和消费电子产品如，智能，数码相机，MP3播放器和USB闪存驱动器的多样性。三星提供的高性能，高密度NAND闪存解决方案，结合自身，涵盖嵌入式和非嵌入式存储器的存储解决方案，以及可以用来作为数据存储为PC和企业系统的固态硬盘控制器前技术广泛的产品组合。三星的尖端20纳米级NAND闪存产品功能性能的基础上分化水平切换的DDR（双数据速率）接口，提升了设备的数据传输速度，并且使服务的多样性为先进的移动和消费电子产品。

三星先进的SSD产品提供新一代存储解决方案，它克服了传统的硬盘驱动器的不足之处，并提出有吸引力的候补PC和服务器应用程序和改进中，他们使用了系统的稳定性和性能。利用其自身的高性能切换的DDR NAND快闪记忆体件和独特的控制器技术，三星提供了多种顶尖的SSD产品具有非常高的性能，密度和可靠性。三星非常新的固态硬盘拥有先进的SATA 6Gb / s接口可用多达512千兆字节（GB）的台式机和笔记本电脑的阵容。

三星的立体V型NAND（垂直NAND）快闪记忆体是利用一种创新的垂直互连工艺技术的基础上三星的3D电荷捕获闪存（CTF）结构来连接24层3D单阵列制成的。 一位业内很不错，它代表了一个突破在克服密度限制目前面临的平面NAND架构和漂浮在常规闪速存储器中使用门，以及产生速度和耐力改进。 

在过去的40年中，传统的闪存记忆体已经基于平面结构，利用浮栅的。然而，在10 A电流的制造工艺技术体积20 nm范围内，在芯片密度进一步的改进。通过细胞与细胞之间的干扰，在NAND闪存产品，除了加入了开发时间和成本的可靠性，因此需要权衡限制 在三星的周大福为基础的NAND闪存架构，首先开发在(咨询特价)年，一个电荷被暂时放置，而不是使用一个浮置栅极，以降低邻近小区之间的干扰中的闪光氮化硅（SiN）构成的非导电层的保持腔室。通过这样的周大福层的立体感，我们的V型NAND的可靠性和处理速度得到了显著提高。此外，通过应用这两种技术，三星的三维V-NAND能够提供两倍以上的20纳米级的平面NAND闪速缩放。 此外，我们的两至十倍的可靠性新的V-NAND辗（耐力）和写入数据（TPROG，节目时间）至少快两倍多级单（MLC）型平面NAND快闪记忆体，同时消耗一半的功率。 三星新推出的V-NAND提供128千兆（GB）的密度在单芯片。 生产的24层128GB V型NAND芯片的华城，韩国开始在这个月（8月）。三星拥有核心技术，以开发更先进的高密度器件，并寻求发展制造技术在未来堆放超过24细胞层。